Danas pogledajmo OFC2024fotodetektori, koji uglavnom uključuju GeSi PD/APD, InP SOA-PD i UTC-PD.
1. UCDAVIS realizira slabi rezonantni 1315.5nm nesimetrični Fabry-Perotfotodetektors vrlo malim kapacitetom, procijenjenim na 0,08fF. Kada je prednapon -1V (-2V), tamna struja je 0,72 nA (3,40 nA), a brzina odziva je 0,93a/W (0,96a/W). Zasićena optička snaga je 2 mW (3 mW). Može podržati eksperimente s podacima velike brzine od 38 GHz.
Sljedeći dijagram prikazuje strukturu AFP PD, koji se sastoji od valovoda spregnutog Ge-on-Si fotodetektors prednjim SOI-Ge valovodom koji postiže > 90% spajanja modova s refleksijom od <10%. Stražnja strana je distribuirani Braggov reflektor (DBR) s refleksijom od >95%. Putem optimiziranog dizajna šupljine (uvjet usklađivanja faze kružnog putovanja), refleksija i prijenos AFP rezonatora mogu se eliminirati, što rezultira apsorpcijom Ge detektora na gotovo 100%. Preko čitavog pojasa od 20 nm središnje valne duljine, R+T <2% (-17 dB). Širina Ge je 0,6 µm, a kapacitet je procijenjen na 0,08fF.
2, Sveučilište znanosti i tehnologije Huazhong proizvelo je silicij germanijlavinska fotodioda, propusnost >67 GHz, dobitak >6,6. SACMAPD fotodetektorStruktura poprečnog spoja pinova izrađena je na silicijskoj optičkoj platformi. Intrinzični germanij (i-Ge) i intrinzični silicij (i-Si) služe kao sloj koji apsorbira svjetlost i sloj za udvostručenje elektrona. Područje i-Ge duljine 14µm jamči odgovarajuću apsorpciju svjetla na 1550 nm. Mala i-Ge i i-Si područja pogodna su za povećanje gustoće fotostruje i širenje propusnosti pod visokim prednaponom. APD mapa oka izmjerena je na -10,6 V. S ulaznom optičkom snagom od -14 dBm, mapa oka 50 Gb/s i 64 Gb/s OOK signala prikazana je u nastavku, a izmjereni SNR je 17,8 i 13,2 dB , odnosno.
3. IHP 8-inčni BiCMOS pilot uređaji pokazuju germanijPD fotodetektorsa širinom peraje od oko 100 nm, koji može generirati najveće električno polje i najkraće vrijeme drifta fotonositelja. Ge PD ima OE propusnost od 265 GHz@2V@ 1.0mA DC fotostruje. Tijek procesa prikazan je u nastavku. Najveća značajka je da je tradicionalna SI mješovita ionska implantacija napuštena, a usvojena je shema nagrizanja rasta kako bi se izbjegao utjecaj ionske implantacije na germanij. Tamna struja je 100nA,R = 0,45A/W.
4, HHI prikazuje InP SOA-PD, koji se sastoji od SSC, MQW-SOA i fotodetektora velike brzine. Za O-pojas. PD ima odziv od 0,57 A/W s manje od 1 dB PDL, dok SOA-PD ima odziv od 24 A/W s manje od 1 dB PDL. Propusnost njih dvoje je ~60 GHz, a razlika od 1 GHz može se pripisati rezonantnoj frekvenciji SOA. Na stvarnoj slici oka nije vidljiv nikakav efekt uzorka. SOA-PD smanjuje potrebnu optičku snagu za oko 13 dB pri 56 GBaud.
5. ETH implementira tip II poboljšani GaInAsSb/InP UTC-PD, s propusnošću od 60GHz@ nula prednaprezanja i velikom izlaznom snagom od -11 DBM na 100GHz. Nastavak prethodnih rezultata, koristeći GaInAsSb poboljšane sposobnosti prijenosa elektrona. U ovom radu, optimizirani apsorpcijski slojevi uključuju jako dopirani GaInAsSb od 100 nm i nedopirani GaInAsSb od 20 nm. NID sloj pomaže u poboljšanju ukupnog odziva i također pomaže u smanjenju ukupnog kapaciteta uređaja i poboljšanju propusnosti. 64µm2 UTC-PD ima propusni opseg od 60 GHz, izlaznu snagu od -11 dBm na 100 GHz i struju zasićenja od 5,5 mA. Kod obrnutog prednapona od 3 V, propusnost se povećava na 110 GHz.
6. Innolight je uspostavio model frekvencijskog odziva germanij silicij fotodetektora na temelju potpunog razmatranja dopinga uređaja, distribucije električnog polja i foto-generiranog vremena prijenosa nositelja. Zbog potrebe za velikom ulaznom snagom i velikom propusnošću u mnogim primjenama, velika ulazna optička snaga uzrokovat će smanjenje propusnosti, najbolja praksa je smanjiti koncentraciju nositelja u germaniju konstrukcijskim dizajnom.
7, Sveučilište Tsinghua dizajniralo je tri vrste UTC-PD, (1) strukturu dvostrukog drift sloja (DDL) od 100 GHz s visokom snagom zasićenja UTC-PD, (2) strukturu dvostrukog drift sloja (DCL) od 100 GHz s visokim odzivom UTC-PD , (3) MUTC-PD propusnosti od 230 GHZ s visokom snagom zasićenja, Za različite scenarije primjene, visoka snaga zasićenja, visoka propusnost i visoka odzivnost mogu biti korisni u budućnosti kada ulazite u eru 200G.
Vrijeme objave: 19. kolovoza 2024