Uvod u rub koji emitira laser (jegulja)

Uvod u rub koji emitira laser (jegulja)
Da bi se dobila velika snaga poluvodiča laserskog izlaza, trenutna tehnologija je korištenje rubne emisijske strukture. The resonator of the edge-emitting semiconductor laser is composed of the natural dissociation surface of the semiconductor crystal, and the output beam is emitted from the front end of the laser.The edge-emission type semiconductor laser can achieve high power output, but its output spot is elliptical, the beam quality is poor, and the beam shape needs to be modified with a beam shaping system.
Sljedeći dijagram prikazuje strukturu poluvodičkog lasera koji emitira rub. Optička šupljina jegulja paralelna je s površinom poluvodičkog čipa i emitira laser na rubu poluvodičkog čipa, koji može realizirati laserski izlaz s velikom snagom, velikom brzinom i niskom bukom. Međutim, izlaz laserskog snopa pomoću jegulja obično ima asimetrični presjek snopa i veliku kutnu divergenciju, a učinkovitost spajanja s vlaknima ili drugim optičkim komponentama je niska.

Povećanje izlazne snage jegulje ograničeno je akumulacijom otpadne topline u aktivnom području i optičkim oštećenjima na površini poluvodiča. Povećavanjem područja valovoda kako bi se smanjilo nakupljanje otpadne topline u aktivnoj regiji kako bi se poboljšalo raspršivanje topline, povećavajući površinu izlaznog svjetla kako bi se smanjila optička gustoća snage snopa kako bi se izbjegla optička oštećenja, izlazna snaga do nekoliko stotina milivata može se postići u strukturi valovoda s jednim poprečnim načinom rada.
Za valovod od 100 mm, laser s jednim rubom može postići desetke vata izlazne snage, ali u ovom trenutku valovod je vrlo višestruki način na ravnini čipa, a omjer izlaznog snopa također doseže 100: 1, koji zahtijeva složen sustav za oblikovanje snopa.
Prema pretpostavci da nema novog proboja u tehnologiji materijalne tehnologije i tehnologije epitaksijalnog rasta, glavni način poboljšanja izlazne snage jednog poluvodičkog laserskog čipa je povećanje širine trake blistave regije čipa. Međutim, povećanje previsoke širine trake lako je proizvesti oscilaciju poprečnog načina rada visokog reda i oscilaciju filamenta, što će uvelike smanjiti ujednačenost svjetlosti, a izlazna snaga ne povećava se proporcionalno širinom trake, tako da je izlazna snaga jednog čipa izuzetno ograničena. Da bi se uvelike poboljšala izlazna snaga, nastaje tehnologija Array. Tehnologija integrira više laserskih jedinica na istom supstratu, tako da je svaka jedinica za emitiranje svjetla postrojena kao jednodimenzionalni niz u smjeru sporog osi, sve dok se tehnologija optičke izolacije koristi za odvajanje svake jedinice za emitiranje svjetla u nizu, tako da se ne miješaju s više s obzirom na to da se povećava, može povećati cijelu krik. Ovaj poluvodički laserski čip je poluvodički laserski niz (LDA) čip, poznat i kao poluvodička laserska traka.